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TIP122

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替换型号: BD649 BD701 BDW63C TIP127 更多
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TIP122 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=5A/ICM=8A/IB=0.1A
    电压参数:UCEO=UCBO=100V/UEBO=5V
    功   率:Ptot=65W
    极   性:NPN

TIP122PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:225.02KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated:21/09/2016 Rev:02 TOP DYNAMIC TIP122 NPN Silicon Power Darlington Transistor for power switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 100 V Collector Emitter Voltage V CEO 100 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 5 A Collector Current (Pulse) I CP 8 A Base Current I B 0.12 A Power Dissipation (T a = 25 O C) P C 2 W Power Dissipation (T c = 25 O C) P C 65 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 3 V, I C = 0.5 A at V CE = 3 V, I C = 3 A h FE h FE 1000 1000 - - - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 100 V I CBO - 0.2 mA Collector Emitter Cutoff Current at V CE = 50 V I CEO - 0.5 mA Emitter Base Cutoff Current
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:TIP122OS
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