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SI1551DL-T1-E3

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  • 大小:105.6KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, DUAL, NP, SOT-363; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:300mA; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:270mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • 数据列表:SI1551DL
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:290mA,410mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:270mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI1551DL-T1-E3TR
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