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2SB1121S-TD-E

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2SB1121S-TD-E外观图

  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 75mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大:500mW
  • 频率 - 转换:150MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:PCP
  • 包装:带卷 (TR)
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