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2N4123

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  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon)
  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:50
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:250 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92
  • 集电极连续电流:0.2 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:625 mW
2N4123 相关信息
  • 单结晶体管振荡电路
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